Sterowniki MOSFET i IGBT o napięciu offsetu do 600 V

Firma Diodes wprowadziła do oferty nową serię szybkich, wysokonapięciowych sterowników bramek tranzystorów MOSFET i IGBT. Obejmuje ona po 6 modeli do konfiguracji high side/low side i half-bridge.

Są one przystosowane do pracy z maksymalnym napięciem offsetu równym 600 V, a ich wejścia mogą być sterowane bezpośrednio z wyprowadzeń mikrokontrolera zasilanego napięciem 3,3 V. Strome zbocza (ton/toff) sygnałów załączających (105/94 ns) pozwalają na pracę z dużą częstotliwością przełączania. Zakres zastosowań obejmuje sterowanie wysokoprądowych stopni wyjściowych w układach napędowych, zasilaczach i falownikach. Wszystkie sterowniki z serii DGD21xx zawierają jednakowy zestaw funkcji zabezpieczających: wejścia z bramkami Schmitta, zabezpieczenie podnapięciowe i zabezpieczenie wyjść przed ujemnymi impulsami napięcia mogącymi się pojawiać wskutek przełączania prądów na obciążeniach indukcyjnych. Dopasowane czasy opóźnień obu kanałów oraz ustalony fabrycznie czas martwy dla wersji half bridge zapobiegają niebezpieczeństwu równoczesnego wprowadzenia w tryb przewodzenia obu tranzystorów w stopniu wyjściowym. Sterowniki serii DGD21xx są oferowane w obudowach SO-8 i SO-16.

www.diodes.com/downloads/10593