Najmniejsze tranzystory MOSFET mocy
Texas Instruments wprowadza do oferty rodzinę miniaturowych tranzystorów FemtoFET MOSFET do zastosowania w urządzeniach zsilanych z baterii wymagających dużej gęstości upakowania podzespołów. Tranzystory są produkowane w obudowach LGA o wymiarach zaledwie 1,0 mm x 0,6 mm x 0,35 mm.
Nowe tranzystory mają obudowę mniejszą pod względem powierzchni montażowej nawet o 40% od tranzystorów produkowanych w obudowach CSP. Ich drugą kluczową zaletą jest bardzo mała rezystancja RDS(on), mniejsza nawet o 70% od innych tranzystorów o podobnych gabarytach. Nowa oferta obejmuje obecnie po 3 typy tranzystorów n- i p-kanałowych o napięciu przebicia 12 i 30 V oraz o dopuszczalnym prądzie drenu do 3,1 A. Wszystkie są zabezpieczone przed wyładowaniami ESD do co najmniej 4 kV HBM. Ceny hurtowe nowych tranzystoró wynoszą od 0,06 USD (CSD17483F4) do 0,10 USD (CSD17381F4) przy zamówieniu 1000 sztuk.
|
Oznaczenie |
Kanał |
BVDSS (V) |
Vgs (V) |
typ. RDS(on) (mΩ) |
ID @ Ta=+25°C (A) |
||
|
1,8 V |
2,5 V |
4,5 V |
|||||
|
CSD17381F4 |
n |
30 |
12 |
160 |
110 |
90 |
3,1 |
|
CSD17483F4 |
n |
30 |
12 |
370 |
240 |
200 |
1,5 |
|
CSD13381F4 |
n |
12 |
8 |
310 |
170 |
140 |
2,1 |
|
CSD25481F4 |
p |
-20 |
-12 |
395 |
145 |
90 |
-2,5 |
|
CSD25483F4 |
p |
-20 |
-12 |
580 |
338 |
210 |
-1,6 |
|
CSD23381F4 |
p |
-12 |
-8 |
480 |
250 |
150 |
-2,3 |
Więcej informacji:
- http://www.ti.com/product/csd17381f4
- http://www.ti.com/product/csd17483f4
- http://www.ti.com/product/csd13381f4
- http://www.ti.com/product/csd25481f4
- http://www.ti.com/product/csd25483f4
- http://www.ti.com/product/csd23381f4
